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內容來自YAHOO新聞

修復半導體材料缺陷 發光效能提昇百倍

（中央社記者許秩維台北24日電）半導體材料越薄，對電子、光電元件的效能越有影響，台大跨國團隊開發能讓單層二維半導體材料「修復缺陷」的方法，將可提升LED發光效能近百倍。

阿拉伯阿卜杜拉國王科技房貸2胎銀行年息大學教授何志浩、台大博士連德軒、美國加州大學柏克萊分校教授、前台大校長李嗣涔等人組成的跨國研究團隊發現，將二維材料浸於有機超強酸中，可讓單層薄膜達到「零缺陷」，大幅提高其發光效率，研究成果刊登在國際期刊「科學（Science）」。

台大跨國研究團隊表示，二維半導體材料具特殊的電子傳導、光學、機械特性，被視為有潛力取代傳統矽材元件，而「MoS2（二硫化鉬）」是最熱門的半導體二維材料之一，但單層的MoS2厚度，比人類DNA鏈的直徑更小，其缺陷也成為應用於電子或光電元件上最大的瓶頸。

研究團隊發現，將二維材料浸於有機超強酸中，可讓單層薄膜達到「零缺陷」，若將MoS2浸在「亞胺」的有機超強酸中，可提高二維材料的量子效率，從不到1%增至近100%，未來可應用在開發透明的LED顯示器、超高效太陽能電池、高靈敏度的光偵測器、與低功耗的奈米級電車貸利率試算表 excel晶體，讓MoS2有機會取代矽材元件，為電晶體帶來革命性改變。1041224



新聞來源https://tw.news.yahoo.com/修復半導體材料缺陷-發光效能提昇百倍-023016148.html

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